功率模塊 子類(lèi)別
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柵極驅動(dòng)
我們提供低壓和高壓柵極驅動(dòng)芯片及解決方案，以實(shí)現對IGBT和MOSFET器件高效而可靠的控制。作為高速驅動(dòng)解決方案，英飛凌DC-DC低壓柵極驅動(dòng)能夠在運算和通信負載點(diǎn)等領(lǐng)域實(shí)現對雙功率MOSFET器件的驅動(dòng)，并且可根據設計需求和應用條件對系統效率進(jìn)行調整。您還可以參考英飛凌面向CoolMOS? MOSFET、分立式IGBT器件以及適用于大部分工業(yè)應用的模塊的高性能隔離柵驅動(dòng)芯片及EiceDRIVER?產(chǎn)品。
大功率晶閘管及二極管
英飛凌提供采用壓接式封裝或模塊化外殼的晶閘管及二極管產(chǎn)品，為電力驅動(dòng)、軟啟動(dòng)電壓、通用電源以及復雜程度更高的電能傳輸系統等高功率應用帶來(lái)穩定而可靠的表現。
IGBT
得益于領(lǐng)先的技術(shù)，英飛凌提供了包括裸片、分立器件、模塊及堆棧在內的全系列IGBT產(chǎn)品。依托于豐富的產(chǎn)品系列，我們?yōu)槟墓I(yè)應用（通用逆變器、太陽(yáng)能及風(fēng)力發(fā)電逆變器、UPS、焊接、感應加熱裝置和SMPS系統）提供可靠而高效的解決方案。同時(shí)，在包括電飯煲、微波爐、電磁爐以及空調系統等消費領(lǐng)域，我們的IGBT產(chǎn)品同樣能夠勝任。此外，英飛凌的汽車(chē)級分立式IGBT及模塊可用于壓電注射、HID照明、泵以及小型電機等應用。
集成功率級
該功率級產(chǎn)品擁有最高等級的效率和功率密度，例如DrMOS和DrBlade。得益于DrBlade產(chǎn)品所采用的Blade芯片嵌入技術(shù)，英飛凌實(shí)現了高度緊湊的集成式MOSFET半橋驅動(dòng)方案。
MOSFET
英飛凌MOSFET系列包含汽車(chē)級MOSFET、功率MOSFET和RF MOSFET等產(chǎn)品。面向汽車(chē)應用的OptiMOS?采用領(lǐng)先的MOSFET技術(shù)和穩定的封裝，擁有一流的性能和卓越的載流能力。在電源應用領(lǐng)域，OptiMOS? 20V-250V在系統設計關(guān)鍵參數（如導通電阻和品質(zhì)因數）方面的表現始終是行業(yè)標桿。革命性CoolMOS? 500V-900V功率產(chǎn)品系列在能源效率層面設立了全新的行業(yè)標準，顯著(zhù)降低了傳導和開(kāi)關(guān)損耗，從而提高了大功率轉換系統的功率密度和效率。
碳化硅（SiC）
與常用的硅（Si）相比，SiC器件為高壓功率半導體帶來(lái)諸多優(yōu)勢。英飛凌CoolSiC?肖特基二極管產(chǎn)品涵蓋600V-1200V電壓區間，為多個(gè)領(lǐng)域內解決方案的效率和系統成本帶來(lái)優(yōu)化，例如服務(wù)器、通信、太陽(yáng)能、照明、消費電子、PC電源和AC/DC轉換。憑借革命性CoolSiC? 1200V SiC JFET系列產(chǎn)品及其Direct Drive技術(shù)，英飛凌以其卓越的領(lǐng)先科技助力設計人員將解決方案的效率提升至前所未有的高度。此外，客戶(hù)還可以選擇搭載SiC續流二極管的高效率IGBT功率模塊。
