碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)
邁向節能世界的下一個(gè)關(guān)鍵步驟是使用新材料,比如寬帶隙半導體,這些材料可以實(shí)現更高的功率效率、更小的尺寸、更輕的重量、更低的總體成本——或者同時(shí)實(shí)現上述所有優(yōu)點(diǎn)。英飛凌是目前唯一一家提供硅(Si)、碳化硅(SiC)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和氮化鎵(GaN)器件的公司,這一獨特地位使其成為所有領(lǐng)域客戶(hù)的首選。
CoolSiC? - 依賴(lài)高壓段的變革
與硅相比,碳化硅(SiC)具有3電子伏特(eV)的寬帶隙和更高的導熱率?;赟iC的MOSFET最適用于高擊穿、高功率的高頻應用。與硅相比,諸如RDS(on)等器件參數隨溫度的變化較小。這使設計人員能夠在設計中實(shí)現更小的極限,從而實(shí)現更高的性能?;诔墒斓母哔|(zhì)量批量生產(chǎn),英飛凌CoolSiC?解決方案將革命性技術(shù)與標準可靠性相結合,為客戶(hù)目前和未來(lái)的成功提供支持。
EiceDRIVER? - Gate driver ICs with perfect fit to CoolSiC? MOSFET
EiceDRIVER? SiC MOSFET gate driver ICs are well-suited to drive SiC MOSFETs, especially our ultra-fast switching CoolSiC? SiC MOSFETs. These gate drivers incorporate most important key features and parameters for SiC driving such as tight propagation delay matching, precise input filters, wide output-side supply range, negative gate voltage capability, active Miller clamp, DESAT protection, and extended CMTI capability. >Learn more
CoolGaN? - 將氮化鎵(GaN)技術(shù)提升到新的水平
GaN比SiC具有更高的帶隙(3.4電子伏特)和更高的電子遷移率。與硅(Si)相比,其擊穿場(chǎng)強度高出十倍,電子遷移率提高一倍。輸出電荷和柵極電荷都比硅(Si)低十倍,反向恢復電荷幾乎為零,這對于高頻操作至關(guān)重要。GaN是現代諧振拓撲中的首選技術(shù),可實(shí)現并支持新方法,包括新拓撲和電流調制。英飛凌的GaN解決方案基于市場(chǎng)上最穩健和性能最好的概念——增強型(e-mode)概念,可提供快速的開(kāi)關(guān)速度。CoolGaN? 氮化鎵產(chǎn)品專(zhuān)注于高性能和穩健性,為許多應用(如服務(wù)器、電信、無(wú)線(xiàn)充電、適配器和充電器及音頻)中的各種系統增加了重要價(jià)值。CoolGaN?開(kāi)關(guān)簡(jiǎn)單易用,易于采用英飛凌專(zhuān)用的GaN EiceDRIVER?柵極驅動(dòng)器IC進(jìn)行設計。
CoolGaN? 400V和600V e-mode GaN HEMT應用
英飛凌的CoolGaN?產(chǎn)品系列面向消費和工業(yè)應用,如服務(wù)器、電信、無(wú)線(xiàn)充電、音頻、適配器和充電器。
CoolSiC? MOSFET 1200V
CoolSiC? MOSFET 1200V是將設計帶到全新效率和功率密度水平的前沿解決方案。
CoolSiC? 肖特基二極管 650V
CoolSiC?肖特基二極管以極具吸引力的單位成本提供市場(chǎng)領(lǐng)先的效率。它從各關(guān)鍵方面均得到優(yōu)化,包括結結構、基片和裸片粘附。