【2020年2月25日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)進(jìn)一步擴展其碳化硅(SiC)產(chǎn)品組合,推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿(mǎn)足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽(yáng)能系統、能源存儲和電池化成、不間斷電源(UPS)、電機控制和驅動(dòng)以及電動(dòng)汽車(chē)充電在內的大量應用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。
“隨著(zhù)新產(chǎn)品的發(fā)布,英飛凌完善了其600V/650V細分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產(chǎn)品組合,”英飛凌電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部高壓轉換業(yè)務(wù)高級總監Steffen Metzger表示,“這凸顯了我們在市場(chǎng)中的獨特地位:英飛凌是市場(chǎng)上唯一一家能夠提供涵蓋硅、碳化硅和氮化鎵等材料的全系列功率產(chǎn)品的制造商。而全新CoolSiC?系列是我們矢志成為工業(yè)SiC MOSFET開(kāi)關(guān)領(lǐng)域頭號供應商的有力支持?!?
650 V CoolSiC? MOSFET器件的額定值在27 mΩ-107 mΩ之間,既可采用典型的TO-247 3引腳封裝,也支持開(kāi)關(guān)損耗更低的TO-247 4引腳封裝。與過(guò)去發(fā)布的所有CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品相比,全新650V系列基于英飛凌先進(jìn)的溝槽半導體技術(shù)。通過(guò)最大限度地發(fā)揮碳化硅強大的物理特性,確保了器件具有出色的可靠性、出類(lèi)拔萃的開(kāi)關(guān)損耗和導通損耗。此外,它們還具備最高的跨導水平(增益)、4V的閾值電壓(Vth)和短路穩健性??偠灾?,溝槽技術(shù)可以在毫不折衷的情況下,在應用中實(shí)現最低的損耗,并在運行中實(shí)現最佳可靠性。
與市面上其它硅基以及碳化硅解決方案相比,650 V CoolSiC? MOSFET能夠帶來(lái)更加吸引人的優(yōu)勢:更高開(kāi)關(guān)頻率下更優(yōu)的開(kāi)關(guān)效率以及出色的可靠性。得益于與溫度相關(guān)的超低導通電阻(RDS(on)),這些器件具備出色的熱性能。此外,它們還采用了堅固耐用的體二極管,有非常低的反向恢復電荷:比最佳的超結CoolMOS? MOSFET低80%左右。其換向堅固性,更是輕松實(shí)現了98%的整體系統效率,如通過(guò)連續導通模式圖騰柱功率因素校正(PFC)。
為了簡(jiǎn)化采用650 V CoolSiC? MOSFET的應用設計,確保器件高效運行,英飛凌還提供了專(zhuān)用的單通道和雙通道電氣隔離EiceDRIVER?柵極驅動(dòng)器IC。這個(gè)解決方案(整合了CoolSiC?開(kāi)關(guān)和專(zhuān)用的柵極驅動(dòng)器IC)有助于降低系統成本和總擁有成本,以及提高能效。CoolSiC? MOSFET可與其它英飛凌EiceDRIVER?柵極驅動(dòng)器系列IC無(wú)縫協(xié)作。
供貨情況
650 V CoolSiC? MOSFET系列共8個(gè)版本,采用兩種插件TO-247封裝,現已支持訂購。三種專(zhuān)用柵極驅動(dòng)器IC將于2020年3月起供貨。了解更多信息,請訪(fǎng)問(wèn)www.infineon.com/coolsic-mosfet-discretes。