2020年2月13日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）通過(guò)專(zhuān)注于解決當前電源管理設計面臨的挑戰，來(lái)實(shí)現系統創(chuàng )新和組件水平的改進(jìn)?！霸礃O底置”是符合行業(yè)標準的全新封裝概念。英飛凌已推出第一批基于該封裝概念的功率MOSFET，它們是采用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOSTM 25 V。該器件在MOSFET性能方面樹(shù)立了新的行業(yè)標桿，不僅通態(tài)電阻（RDS(on)）降低，還具有業(yè)內領(lǐng)先的熱性能指標。該產(chǎn)品適合的應用非常廣泛，包括馬達驅動(dòng)、SMPS（包括服務(wù)器、電信和OR-ing）和電池管理等等。

 

新封裝概念將源極（而非傳統的漏極）與導熱墊相連。除了實(shí)現新的PCB布局，這還有助于實(shí)現更高的功率密度和性能。目前推出的兩個(gè)型號占板面積不同，它們分別是源極底置，標準門(mén)極布局的PQFN 3.3x3.3 mm封裝，及源極底置，門(mén)極居中的PQFN 3.3x3.3 mm封裝。源極底置，標準門(mén)極布局的封裝是基于當前的PQFN 3.3x3.3 mm引腳分配布局。電氣連接的位置保持不變，方便將如今標準的漏極底置封裝簡(jiǎn)單直接地替換成新的源極底置封裝。在門(mén)極居中的封裝中，門(mén)極引腳被移到中心位置以便于多個(gè)MOSFET并聯(lián)。由于漏-源極爬電距離增大，多個(gè)器件的門(mén)極可以連接到同一層PCB上。此外，將門(mén)極接口移到中心位置還能使源極面積增大，從而改進(jìn)器件的電氣連接。

 

這一技術(shù)創(chuàng )新可使RDS(on)相比現有技術(shù)大幅減小，減幅最高達到30%。相比現有的PQFN封裝，結-殼熱阻（RthJC）也得到大幅改進(jìn)。由于寄生效應降低，PCB損耗改進(jìn)，以及熱性能優(yōu)異，新封裝概念可為任何當代的工程設計帶來(lái)巨大的附加價(jià)值。

 

供貨情況 
基于PQFN 3.3x3.3 mm封裝的兩種OptiMOSTM源極向下25 V功率MOSFET現在都能供貨。更多信息可訪(fǎng)問(wèn)www.infineon.com/pqfn-3-source-down。